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MOSFET應用場景電池管理

鋰離子電池包的內部，電芯和輸出負載之間要串聯功率MOSFET，使用**的IC控制MOSFET的開關，從而對電芯的充、放電進行管理，在消費電子系統中，如手機電池包，筆記本電腦電池包等，帶有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他電子元件的電路系統稱為電池充放電保護板Protection Circuit Module （PCM），而對于動力電池的電池管理系統，則稱為Battery Management System （BMS）。

在電池充放電保護板PCM中，充、放電分別使用一顆功率MOSFET，背靠背的串聯起來。功率MOSFET管背靠背的串聯的方式有二種：一種是二顆功率MOSFET的漏極連接在一起；另一種是二顆功率MOSFET的源極連接在一起。功率MOSFET管放置的位置也有二種方式：一種是二顆功率MOSFET放在電池的負端，也就是所謂的“地端”、低端（Low Side）；另一種是二顆功率MOSFET放在電池的正端，**（High Side）。功率MOSFET背靠背連接的不同方式、以及放在不同的位置，都有各自的優缺點，對應著系統的不同要求.

無錫商甲半導體有限公司提供IGBT產品，具有高性能、高可靠性，適合各種應用.廣東12V至300V N MOSFETMOSFET選型參數

SGT技術：突破傳統MOS的性能瓶頸

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是開關電源、逆變器、電機控制等應用的**開關器件。傳統平面MOS和早期溝槽MOS在追求更低導通電阻 (Rds(on)) 和更快開關速度時，往往會面臨開關損耗 (Qg, Qgd) 增大、抗沖擊能力下降等矛盾。

商甲半導體采用的 SGT 結構技術，正是解決這一矛盾的關鍵：

屏蔽柵極結構： 在傳統的柵極溝槽結構基礎上，創新性地引入了額外的“屏蔽電極”（通常是源極電位）。這一結構能有效屏蔽柵極與漏極之間的米勒電容 (Cgd)，大幅降低柵極電荷 (Qg, 特別是 Qgd)。

**柵極電荷 (Qg)： 降低Qg意味著驅動電路更容易驅動MOS管，***減少開關過程中的導通和關斷損耗，提升系統整體效率，尤其在需要高頻開關的應用中優勢明顯。

優化導通電阻 (Rds(on))： SGT結構通過優化載流子分布和溝道設計，在同等芯片面積下，實現了比傳統溝槽MOS更低的導通電阻，降低了導通狀態下的功率損耗和發熱。

優異的開關性能： 低Qg和優化的電容特性共同帶來了更快的開關速度和更干凈的開關波形，減少了電壓/電流應力，提升了系統穩定性和EMI性能。

高可靠性： 精心設計的結構有助于改善器件的雪崩耐量 (Eas) 和抗閂鎖能力，提高了系統在惡劣工況下的魯棒性。 廣東新型MOSFET選型參數商甲半導體提供充電樁應用MOSFET選型。

  無錫商甲半導體有限公司有SGT MOSFET、Trench MOSFET等產品。

   SGT MOSFET：一種創新的溝槽式功率MOSFET，具備更低的導通電阻，性能更加穩定

  SGT-MOSFET（屏蔽柵溝槽MOSFET）是一種創新的溝槽式功率MOSFET，基于傳統溝槽式MOSFET（U-MOSFET）的改進。通過運用電荷平衡技術理論，SGT-MOSFET在傳統功率MOSFET中引入額外的多晶硅場板進行電場調制，從而提升了器件的耐壓能力和降低了導通電阻。

  這種結構設計使得SGT-MOSFET具有導通電阻低、開關損耗小、頻率特性優越等***特點。屏蔽柵在漂移區中的作用相當于體內場板，使得SGT-MOSFET在導通電阻R_(ON(SP))和品質因數(FOM=Ron*Qg)等方面具有***優勢，有效地提高了系統的能源利用效率。

無錫商甲半導體MOSFET有多種封裝，滿足各類電源需求

TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩定性方面可能略有差異。TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場合。 采用Fabless輕資產模式，技術團隊擁有15年以上功率芯片行業經驗。截至2024年，公司營收突破1.4億元。

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MOSFET選型原則行業技術發展總趨勢為：小型化、表貼化，高頻化，高功率密度化，高效率化，高可靠性，集成化，綠色化。重點突出高頻化，高功率密度化，高可靠性及集成化。

行業技術發展趨勢主要體現在MOSFET芯片材料，晶圓技術，芯片技術及封裝技術的演進及發展。

選型原則如下：禁止選用處于生命周期末期的插件封裝器件（能源用TO220，TO247除外）及封裝為SO8，DPAK的表貼器件。對于信號MOSFET推薦選用柵極集成TVS保護的小型化表貼器件。 商甲半導體的產品在汽車、工業、移動等領域廣泛應用。廣東新型MOSFET選型參數

MOSFET、IGBT 選商甲半導體，專業供應商，研發、生產與銷售實力強。廣東12V至300V N MOSFETMOSFET選型參數

SiCMOSFETQ模塊封裝是將碳化硅MOSFET芯片封裝在特定的結構中，以保護芯片、提供電氣連接、實現散熱和機械支撐等功能，實現其在高功率、高頻率、高溫等復雜環境下的穩定運行。封裝技術需要考慮電氣連接、散熱管理、機械支撐和環境防護等多個方面。

封裝過程

1.芯片準備:將SiC MOSFET芯片準備好，確保芯片的質量和性能符合要求，一般芯片大小都是5mmx5mm。

2.芯片貼裝:將芯片安裝在DBC基板或其他合適的基板上，通常采用銀燒結等先進工藝，以提高熱導率和機械強度。

3.電氣連接:通過引線鍵合或無引線結構(比如銅帶連接)實現芯片與外部電路的電氣連接。無引線結構可以明顯降低寄生電感，提高高頻性能，但對工藝有一定要求。

4.封裝:使用環氧樹脂或其他封裝材料對模塊進行封裝，以保護芯片免受外界環境的影響。

5.測試:對封裝后的模塊進行電氣性能、熱性能和機械性能的測試，確保其滿足應用要求 廣東12V至300V N MOSFETMOSFET選型參數

無錫商甲半導體有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在江蘇省等地區的電子元器件中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，無錫商甲半導體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！