利用技術優勢，以國內新技術代Trench/SGT產品作為一代產品；產品在FOM性能方面占據優勢，結合先進封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來兩年內做全硅基產品線并拓展至寬禁帶領域；

TO-252/SOT-23/PNDF5X6-8L/PDNF3X3-8L/SOT-23-3L/SOP-8/TO-220/TO-263/TOLL/SOT89-3L/DFN2030/SOT-89/TO-92/TO-251/TO-220F/TO-247/TO-263-7

公司目前已經與國內的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作，多平臺產品實現量 產，產品在開關特性、導通特性、魯棒性、EMI等方面表現很好，得到多家客戶的好評。公司定位新型Fabless 模式，在設計生產高性能產品基礎上，提供個性化參數調控，量身定制，多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產品齊全，可廣泛應用于工控、光伏、  儲能、家電、照明、5G 通信、醫療、汽車等各行業多個領域。公司在功率器件重要業務領域   已形成可觀的競爭態勢和市場地位。 商甲半導體有限公司運營為Fabless模式，芯片自主設計并交由芯片代工企業進行代工生產。重慶電子元器件MOSFET價格比較

SGT MOS管是國產功率半導體在先進技術領域的突破。它將低導通電阻、低柵極電荷、優異開關性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現代電力電子系統的理想選擇。無論是應對嚴苛的能效挑戰，還是實現高頻小型化設計，亦或是構建更穩定可靠的系統，商甲半導體 SGT MOS管都展現出強大的“芯”實力，成為工程師設計下一代高效能產品的有力武器。

選擇商甲半導體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。

600V以上產品主要用于工業電源、并網逆變、充電樁、家電、高壓系統新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導體的設計與營銷，參與和傳承功率半導體的發展”的愿景，堅持“質量至上、創新驅動”的發展策略，遵循“問題解決+產品交付+售后服務”的營銷 法則，努力將公司建設成一個具有國際競爭力的功率半導體器件供應商。 廣東電子元器件MOSFET工藝樣片申請通道開啟！商甲半導體 MOSFET，開關快、功耗低，電路高效運行全靠它。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。

主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET一JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

MOS管選型指南

評估開關性能

開關性能受柵極電容影響，影響導通和關閉過程中的損耗。在選擇MOS管時，后一步是考察其開關性能。開關性能受到多個參數的影響，其中重要的是柵極/漏極、柵極/源極以及漏極/源極電容。這些電容在每次開關時都需要充電，從而產生開關損耗，降低器件的效率。特別需要注意的是，柵極電荷（Qgd）對開關速度的影響**為明顯。

為評估MOS管的開關性能，設計者需分別計算開通過程和關閉過程中的損耗。開通過程中的損耗記為Eon，而關閉過程中的損耗則為Eoff。基于這兩個關鍵參數，我們可以進一步推導出MOS管在開關過程中產生的總功率損耗， MOSFET、IGBT 選商甲半導體，專業供應商，研發、生產與銷售實力強。

選擇MOS管的指南

 第一步: 明確N溝道與P溝道首先，需要明確N溝道與P溝道的選擇。N溝道適用于低壓側開關，P溝道適用于高壓側開關。由于MOS管有兩種結構形式一一N溝道型和P溝道型，這兩種結構的電壓極性有所不同。因此，在做出選擇之前，務必先確定您的應用場景需要哪種類型的MOS管

MOS管的兩種結構在電子應用中，MOS管通常有兩種結構：N溝道型和P溝道型。這兩種結構各有其特定的應用場景。例如，在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，因為這類器件在關閉或導通時所需電壓較低。相反，在高壓側開關中，則更常選用P溝道MOS管。 在手機、筆記本電腦、電動自行車、新能源汽車等設備的電池管理系統中，商甲半導體多款中低壓產品廣泛應用。浙江電池管理系統電子元器件MOSFET

商甲半導體 MOSFET 開啟送樣，再嚴苛的環境也能扛住～ 專業供應，實力在線。重慶電子元器件MOSFET價格比較

MOS管封裝

TO-220與TO-220F

TO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內。

TO-251封裝TO-251封裝的產品旨在降低生產成本并減小產品尺寸，特別適用于中壓大電流環境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環境，但需確保電流在7N以下。 重慶電子元器件MOSFET價格比較