SGT MOS結構優勢電場優化與高耐壓：

屏蔽柵的電場屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場從控制柵下方轉移至溝槽側壁，避免柵氧化層因電場集中而擊穿。橫向電場均勻化：通過電荷平衡技術（類似超結原理），漂移區的電場分布從傳統結構的“三角形”變為“矩形”，***提升擊穿電壓（BV）。

BV提升實例：在相同外延層參數下，SGT的BV比傳統溝槽MOS提高15%-25%（例如原設計100V的器件可達120V）。低導通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應，漂移區電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設計：分柵結構允許更短的溝道長度（可至0.1μm以下），溝道電阻（Rch）降低30%-50%。 TO-263（D2PAK） 多引腳表面貼裝，擴大散熱面積，用于中高壓大電流場景（如工業設備）。上海新型功率器件MOS產品選型技術指導

功率器件的分類定義

一、主要分類按器件的結構劃分二極管：如整流二極管、快恢復二極管，用于單向導電與電壓鉗位；

晶體管：含雙極結型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開關與控制功能；

晶閘管：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。

按功率等級劃分低壓小功率：如消費電子中的驅動器件；中高功率：工業變頻器、電機控制器；高壓大功率：新能源發電、特高壓輸電系統。 浙江12V至300V N MOSFET功率器件MOS產品選型歡迎選購自上世紀80年代起，MOSFET、IGBT和功率集成電路已成為主流應用類型。

功率MOSFET的基本特性

動態特性MOSFET其測試電路和開關過程。開通過程；開通延遲時間td(on)一Up前沿時刻到UGS=UT并開始出現iD的時刻間的時間段；上升時間tr一UGS從UT上升到MOSFET進入非飽和區的柵壓UGSP的時間段；iD穩態值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩態值有關，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續升高直至達到穩態，但iD已不變。開通時間ton一開通延遲時間與上升時間之和。

關斷延遲時間td(off)一Up下降到零起，Cin通過RS和RG放電，UGS按指數曲線下降到UGSP時，iD開始減小為零的時間段。下降時間tf一UGS從UGS

P繼續下降起，iD減小，到UGS

MOSFET的開關速度MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10～100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中比較高的。場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。

功率MOSFET是70年代末開始應用的新型電力電子器件，適合于數千瓦以下的電力電子裝置，能***縮小裝置的體積并提高其性能，預期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發展趨勢是提高容量，普及應用，與其他器件結合構成復合管，將多個元件制成組件和模塊，進而與控制線路集成在一個模塊中（這將會更新電力電子線路的概念）。此外，隨著頻率的進一步提高，將出現能工作在微波領域的大容量功率MOSFET。這些參數反映了功率場效應晶體管在開關工作狀態下的瞬間響應特性，在功率場效應晶體管用于電機控制等用途時特別有用。MOSFET其優點表現在有較寬的安全工作區而不會產生熱點，并且具有正的電阻溫度系數，因此適合進行并聯使用。

功率MOSFET的基本特性

靜態特性MOSFET的轉移特性和輸出特性。

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs

MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區）；非飽和區（對應于GTR的飽和區）。電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。

功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。中國臺灣PD 快充功率器件MOS產品選型芯片

工業控制：變頻器、伺服驅動器、電源管理模塊； 軌道交通：牽引變流器、輔助供電系統。上海新型功率器件MOS產品選型技術指導

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功率MOS管的關鍵參數

***比較大額定值

***比較大額定值是功率MOS管不應超過的允許限制，即使是一瞬間也不行。這些值包括漏源電壓、柵極電壓、漏極電流等。了解這些額定值對于確保功率MOS管在正常工作范圍內運行至關重要。超過這些值可能會導致器件損壞，降低系統的可靠性。

漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）

漏源擊穿電壓是漏極和源極之間的擊穿電壓，決定了器件能夠承受的最大電壓。選擇較高的擊穿電壓可以提高器件的安全性，但會增加導通電阻。漏源擊穿電壓的選擇需要在安全性和效率之間進行權衡。較高的擊穿電壓可以提供更高的安全性，但會增加功率損耗。

柵極閾值電壓（VGS(TH)）

柵極閾值電壓是使功率MOS管開啟且漏極電流開始流動時柵極和源極之間的電壓。選擇合適的閾值電壓可以確保器件在不同的工作電壓下正常工作。柵極閾值電壓的選擇直接影響功率MOS管的開關特性。較低的閾值電壓可以使器件在低電壓下快速開啟，但可能會增加噪聲和功耗。

漏源導通電阻（RDS(ON)）

漏源導通電阻是漏極電流流動時漏極和源極之間的電阻。低導通電阻可以減小功率損耗，提高效率。漏源導通電阻是影響功率MOS管能效的關鍵參數。 上海新型功率器件MOS產品選型技術指導