從設(shè)計細(xì)節(jié)看MOS管的"不可替代性"

MOS管也不是完美的，它也有自己的短板（比如高壓場景下的導(dǎo)通電阻會隨電壓升高而增大，即"導(dǎo)通電阻的電壓依賴性"）。但工程師們通過工藝改進(jìn)（比如采用場板結(jié)構(gòu)、超結(jié)技術(shù)）和電路設(shè)計（比如并聯(lián)多個MOS管分擔(dān)電流），已經(jīng)將這些短板控制在可接受范圍內(nèi)。更重要的是，MOS管在多數(shù)關(guān)鍵性能上的優(yōu)勢，是其他器件難以替代的。

電動車電機(jī)驅(qū)動中的逆變器，需要頻繁切換電機(jī)的相電流來控制轉(zhuǎn)速和扭矩。MOS管的快速開關(guān)特性（納秒級響應(yīng)）能讓電機(jī)在加速、制動時電流變化更平滑，減少機(jī)械沖擊；低導(dǎo)通電阻則能降低驅(qū)動系統(tǒng)的整體功耗，延長電池續(xù)航一一這對電動車這種對重量和續(xù)航敏感的產(chǎn)品來說，至關(guān)重要。

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MOSFET的主要參數(shù)

1、ID：比較大漏源電流它是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流，場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。

2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。

4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。

5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時漏源間的比較大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時的消耗功率。

6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低。

7、PD：最大耗散功率它是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的比較大漏源耗散功率。

8、Tj：比較大工作結(jié)溫通常為150℃或175℃，器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度，并留有一定裕量。 安徽500V至900V SJ超結(jié)MOSFETMOSFET供應(yīng)商價格比較公司Fabless 模式解特殊匹配難題。

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產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、馬達(dá)驅(qū)動、BMS、UPS、光伏新能源、充電樁等領(lǐng)域。

在面對日益增長的電力需求和對電子設(shè)備可靠性的苛刻要求時，如何制造出高效、穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件成了一個亙古不變的話題。

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榨汁機(jī)需要電機(jī)能夠快速啟動并穩(wěn)定運(yùn)行，以實現(xiàn)高效榨汁。

TrenchMOSFET在其中用于控制電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。以一款家用榨汁機(jī)為例，TrenchMOSFET構(gòu)成的驅(qū)動電路，能精細(xì)控制電機(jī)的啟動電流和轉(zhuǎn)速。其低導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通損耗，減少了電機(jī)發(fā)熱，提高了榨汁機(jī)的工作效率。在榨汁過程中，TrenchMOSFET的寬開關(guān)速度優(yōu)勢得以體現(xiàn)，可根據(jù)水果的不同硬度，快速調(diào)整電機(jī)的扭矩和轉(zhuǎn)速。比如在處理較硬的蘋果時，能迅速提升電機(jī)功率，保證刀片強(qiáng)勁有力地切碎水果；而在處理較軟的草莓等水果時，又能精細(xì)調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速，避免過度攪拌導(dǎo)致果汁氧化，為用戶榨出營養(yǎng)豐富、口感細(xì)膩的果汁。

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低輸出阻抗 + 能源高效利用，多場景適配無壓力。廣東好的MOSFET供應(yīng)商參數(shù)選型

MOSFET的主要參數(shù)

1、ID：比較大漏源電流它是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流，場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。

2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。

4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。

5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時漏源間的比較大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。

6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。

7、PD：最大耗散功率它是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的比較大漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。

8、Tj：比較大工作結(jié)溫通常為150℃或175℃，器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度，并留有一定裕量。 廣東好的MOSFET供應(yīng)商參數(shù)選型

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月3日，注冊地位于無錫經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)太湖灣信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園1號樓908室。公司專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計與銷售，采用Fabless模式開發(fā)TrenchMOSFET、IGBT等產(chǎn)品，截至2023年12月，公司已設(shè)立深圳分公司拓展華南市場，并獲評2024年度科技型中小企業(yè)。無錫商甲半導(dǎo)體有限公司利用技術(shù)優(yōu)勢，以國內(nèi)***技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為***代產(chǎn)品；產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)***優(yōu)勢，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車規(guī)級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域；