在啟動設備前，需要進行一系列嚴謹細致的檢查工作，以確保設備能夠正常運行并保證實驗的順利進行。首先是真空系統的檢查，要確認真空泵油位是否在正常刻度范圍內，這直接關系到真空泵的抽吸能力，若油位過低可能導致真空泵無法正常工作，影響真空環境的建立。查看真空管道是否連接緊密，有無松動或破損跡象，防止空氣泄漏影響真空度。檢查真空計是否正常顯示，它是監測真空度的關鍵儀表，若顯示異常將無法準確判斷真空環境狀態。

接著檢查氣源，確保氣體鋼瓶的閥門關閉嚴密，防止氣體泄漏造成安全隱患。查看氣體管道是否有彎折、堵塞情況，保證氣體輸送順暢。還要確認氣體流量計的準確性，以便精確控制氣體流量。電源檢查也不容忽視，檢查設備的電源線連接是否牢固，有無破損或短路現象。查看電源開關是否正常，各電氣部件的指示燈是否亮起，判斷設備的供電是否正常。

全自動分子束外延生長系統與該 PLD 系統協同，實現高效制備。多靶位外延系統基板溫度

在寬禁帶半導體材料研究領域，我們的PLD與MBE系統發揮著舉足輕重的作用。以氧化鋅（ZnO）為例，它是一種具有優異壓電、光電特性的III-VI族半導體。利用PLD技術，通過精確控制激光能量、沉積氣壓（尤其是氧氣分壓）和基板溫度，可以在藍寶石、硅等多種襯底上外延生長出高質量的c軸擇優取向的ZnO薄膜。這種薄膜是制造紫外光電探測器、透明電極、壓電傳感器和聲表面波器件的理想材料。系統的RHEED監控能力可以實時優化生長條件，確保獲得表面光滑、晶體質量高的外延層。全自動外延系統儀器基板加熱溫度范圍寬廣，可從液氮溫度至1400攝氏度。

設備對實驗室環境有著嚴格要求。溫度方面，適宜的溫度范圍通常為20-25°C，這是因為設備的許多部件，如加熱元件、傳感器等，在該溫度范圍內能保持較好的性能。溫度過高可能導致設備元件過熱損壞，影響設備的穩定性和使用壽命；溫度過低則可能使某些材料的物理性能發生變化，影響實驗結果。濕度應控制在40%-60%的范圍內。濕度過高可能會使設備內部的金屬部件生銹腐蝕，影響設備的機械性能和電氣性能；濕度過低則可能產生靜電，對設備的電子元件造成損害。潔凈度要求達到萬級或更高，這是為了防止灰塵、顆粒等雜質進入設備，影響薄膜的生長質量。微小的雜質顆粒可能會在薄膜中形成缺陷，降低薄膜的電學、光學等性能。

基板在沉積過程中的旋轉功能對于獲得成分和厚度高度均勻的薄膜至關重要。在PLD過程中，激光燒蝕產生的等離子體羽輝（Plume）具有一定的空間分布，通常呈中心密度高、邊緣密度低的余弦分布。如果基板靜止不動，沉積出的薄膜將會中間厚、邊緣薄，形成一道“山峰”。通過讓基板繞其中心軸勻速旋轉，薄膜的每一個點都會周期性地經過羽輝的中心和邊緣，對沉積速率進行時間上的平均，從而有效地補償了羽輝空間分布的不均勻性，從而獲得厚度變化率小于±2%的優異均勻性。依托該 PLD 系統，科研團隊可在有限預算內開展高質量實驗研究。

針對不同故障，需采取相應的解決措施。對于真空度異常，若是真空泵故障，應及時更換真空泵油或維修、更換損壞的零件；若是管道泄漏，需找到泄漏點，重新密封或更換損壞的管道。溫度控制不穩定時，若加熱元件損壞，需更換新的加熱元件；若溫度傳感器故障，應校準或更換傳感器。為預防故障發生，需定期對設備進行維護保養。定期檢查真空泵油位，及時補充或更換真空泵油；清潔真空管道，防止雜質積累影響真空度。定期校準溫度傳感器和壓力傳感器，確保測量的準確性；檢查加熱元件的工作狀態，及時發現潛在問題。操作人員應嚴格按照操作規程進行操作，避免因誤操作引發故障，從而提高設備的可靠性，保障實驗的順利進行。設備配套19英寸機柜集成所有電子控制單元。全自動外延系統儀器

系統支持高分子材料輔助脈沖激光沉積工藝。多靶位外延系統基板溫度

我們的標準脈沖激光沉積（PLD）系統是面向廣大科研用戶的高性價比解決方案。其主要設計理念是在保證關鍵性能指標達到研究級水準的同時，較大限度地優化成本。系統配備了六靶位自動切換裝置，允許用戶在一次真空循環中連續沉積多種不同材料，構建復雜的異質結或梯度薄膜。基板加熱器采用特殊設計的鉑金加熱片，不僅能在高真空下穩定工作，還能在300毫托的氧氣氛圍中，將2英寸基板加熱至1200攝氏度，這對于生長需要高溫氧化環境的鈣鈦礦氧化物等關鍵功能材料至關重要。系統的基礎真空優于5E-8帕斯卡，確保了薄膜生長前基板表面的整體潔凈，是獲得高質量單晶外延薄膜的根本保證。多靶位外延系統基板溫度

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