QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），集成電路發明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。江陰節能集成電路銷售廠家

2、BQFP（quad flat package with bumper）帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起（緩沖墊）以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右（見QFP）。3、C－（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP（數字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G（G即玻璃密封的意思）。江蘇標準集成電路工廠直銷觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。7、DFP（dual flat package）雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）

美國Olin公司開發的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業公司于1993年獲得特許開始生產。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。梁溪區質量集成電路廠家供應

雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。江陰節能集成電路銷售廠家

5、要保證焊接質量焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應用內熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看，比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認無焊錫粘連現象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。江陰節能集成電路銷售廠家

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