ICEO 是基極開路時集電極 - 發射極反向電流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大，ICEO 的溫度敏感性極強，會導致電路靜態電流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是選擇 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 遠小于鍺管；二是在基極與地之間接泄放電阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，減小 ICEO 對 IC 的影響；三是采用分壓式偏置電路，通過 RE 的負反饋穩定 IC。例如在高精度電流源電路中，基極接 100kΩ 泄放電阻，當 ICEO=10μA（β=100）時，IB=0.1μA，對 IC 的影響可忽略不計，確保電流源輸出穩定。電流源電路用共基電路，低輸入阻抗減負載影響，高輸出阻抗穩電流。山東環保型NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

集電極最大允許功耗 PCM 是指 NPN 型小功率晶體三極管在工作過程中，集電結所能承受的最大功耗，它是由三極管的結溫上限決定的。三極管工作時，集電結會產生功率損耗，這些損耗會轉化為熱量，導致結溫升高，當結溫超過上限值時，三極管會因過熱而損壞。PCM 的計算公式為 PCM = IC × VCE，即集電極電流與集電極 - 發射極電壓的乘積。小功率 NPN 型三極管的 PCM 通常較小，一般在幾十毫瓦到幾百毫瓦之間，例如 9012 三極管的 PCM 約為 625mW，8050 三極管的 PCM 約為 1W。在電路設計中，必須確保三極管的實際功耗 PC = IC × VCE 小于 PCM，為了降低三極管的功耗和結溫，通常會合理選擇電路參數，減少 IC 和 VCE 的乘積，同時在功耗較大的場合，可為三極管加裝散熱片，提高散熱效率，從而使三極管能夠在接近 PCM 的條件下穩定工作。江蘇隔離型NPN型晶體三極管汽車電子控制系統應用銷售老式礦石收音機用鍺管，因成本低，對性能要求也低。

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調至 3kΩ，降低 ICQ。

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號加在發射極和基極之間，輸出信號從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區。共基放大電路的突出特點是頻率響應好，上限截止頻率高，這是因為基極交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區的渡越時間對高頻信號的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數較高，但電流放大倍數小于 1，即沒有電流放大能力，能實現電壓放大，且輸出信號與輸入信號同相位。在實際應用時，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數，又能擁有良好的高頻特性，滿足高頻信號放大的需求，例如在通信設備的高頻放大模塊中，就常采用這種組合電路。LC 振蕩電路頻率穩定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩定性好。

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數與反饋系數的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產生，輸出信號頻率由 RC 選頻網絡決定，常用于產生音頻范圍內的正弦波信號，如函數信號發生器中的低頻信號源；LC 正弦波振蕩電路則適用于高頻信號產生，輸出信號頻率由 LC 諧振回路決定，廣泛應用于無線電通信、廣播電視等領域，用于產生載波信號或本振信號。開關失控時，導通壓降大需增大 IB，截止漏電則換管。山東環保型NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

共射放大實驗測電壓放大倍數和阻抗，觀察失真現象。山東環保型NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結會發生反向擊穿，導致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發射極之間的反向電壓，其數值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結的反向擊穿會通過基區影響發射結，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開路時，發射極與基極之間的反向電壓，由于發射結通常工作在正向偏置狀態，對反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設計中，必須確保三極管實際工作時的電壓不超過對應的反向擊穿電壓，否則會導致三極管損壞。山東環保型NPN型晶體三極管開關電源電路應用維修

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