光刻是集成電路和半導體器件制造工藝中的關鍵性技術，其工藝質量直接影響器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數指標的穩定和提高，就目前光刻工藝而言，工藝設備的穩定性、工藝材料以及人工參與的影響等都會對后續器件成品率及可靠性產生影響。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡單點來說，光刻機就是放大的單反，光刻機就是將光罩上的設計好集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上，形成圖形。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。功率器件光刻加工廠商

光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。氧化硅材料刻蝕多少錢通過重復進行Si蝕刻、聚合物沉積、底面聚合物去除，可以進行縱向的深度蝕刻，側壁的凹凸因形似扇貝。

掩膜對準光刻及步進投影式光刻機中常用汞燈作為曝光光源，其發射光譜包括g-(波長435nm)、h-(波長405nm)和i-線(波長365nm)。一個配有350wHg燈的6英寸掩模對準器通常能獲得大約光輸出。15–30mw/cm2，i-線強度通常大約占全部三條線總光強的40%。LED作為近年來比較常見的UV光源在掩膜對準式光刻系統中比較常見，其相比于汞燈光源其優點是冷光源，不會對光刻膠產生輻照加熱，避免光刻膠受熱變形。除了Hg燈，具有合適波長的激光器也是光刻膠曝光的合適光源。由于光引發劑的光譜吸收帶不會在某一特定波長突然終止，相應的適應劑量也會暴露在比數據表中所示范圍高約10nm的波長處，但這延長了需要直寫的時間。另外，在干涉光刻中也常常用的例如He-Cd（328nm）作為光源，其同樣能對大部分i-線膠進行曝光。

光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大主要技術之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推動，對準技術也經歷迅速而多樣的發展。從對準原理上及標記結構分類，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式、干涉強度對準、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式。套刻精度作為是光刻機的另一個非常重要的技術指標。

在光刻膠技術數據表中，會給出一些參考的曝光劑量值，通常，這里所寫的值是用單色i-線或者BB-UV曝光。正膠和負膠的光反應通常是一個單光子過程與時間沒太大關系。因此，在原則上需要多長時間(從脈沖激光的飛秒到接觸光刻的秒到激光干涉光刻的小時)并不重要，作為強度和時間的產物，作用在在光刻膠上的劑量是光強與曝光時間的產物。在增加光強和光刻膠厚度較大的時候，必須考慮曝光過程中產生的熱量和氣體（如正膠和圖形反轉膠中的N2排放）從光刻膠膜中排出時間因為熱量和氣體會導致光刻膠膜產生熱和機械損傷。襯底的反射率對光刻膠膜實際吸收的曝光強度有影響，特別是對于薄的光學光刻膠膜。玻璃晶圓的短波光強反射約10%，硅晶片反射約30%，金屬薄膜的反射系數可超過90%。哪一種曝光劑量是“比較好”也取決于光刻工藝的要求。有時候稍微欠曝光可以減小這種襯底反射帶來的負面影響。在厚膠情況下，足夠的曝光劑量是后續合理的較短顯影時間的保障。光刻機內的微振動會影響后期圖案的質量。氧化硅材料刻蝕多少錢

半導體中常見的濕法腐蝕主要可分為化學腐蝕與電化學腐蝕。功率器件光刻加工廠商

曝光后烘烤是化學放大膠工藝中很關鍵，也是反應機理很復雜的一道工序。后烘過程中，化學放大膠內存在多種反應機制，情況復雜并相互影響。例如各反應基團的擴散，蒸發將導致抗蝕刑的組成分布梯度變化：基質樹脂中的去保護基團會引起膠膜體積增加但當烘烤溫度達到光刻膠的玻璃化溫度時基質樹脂又并始變得稠密兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散，且影響作用相反。這眾多的反應機制都將影響到曝光圖形，因此烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔都是影響曝光圖形線寬的重要因素。功率器件光刻加工廠商