廣泛的應用場景

商甲半導體 SGT MOS管憑借其高性能特點，廣泛應用于對效率和功率密度要求極高的領域：

開關電源 (SMPS)

服務器/數據中心電源

通信電源

消費類

電源適配器/充電器（如快充）

工業電源

LED驅動電源關鍵位置： PFC級主開關管、LLC諧振腔初級開關管、次級側同步整流管 (SR)。

電機驅動與控制：無刷直流電機 (BLDC) 驅動器（如電動工具、無人機、風機、水泵）

變頻器關鍵位置： 三相逆變橋臂開關管。

新能源與汽車電子：光伏逆變器儲能變流器 (PCS)車載充電器 (OBC)車載DC-DC變換器 商甲半導體深化與重慶萬國、鼎泰、芯恩等12寸晶圓代工廠的合作，確保供應鏈穩定，產能保障、成本優勢.浙江質量MOSFET選型參數

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MOSFET應用場景電池管理

鋰離子電池包的內部，電芯和輸出負載之間要串聯功率MOSFET，使用**的IC控制MOSFET的開關，從而對電芯的充、放電進行管理，在消費電子系統中，如手機電池包，筆記本電腦電池包等，帶有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他電子元件的電路系統稱為電池充放電保護板Protection Circuit Module （PCM），而對于動力電池的電池管理系統，則稱為Battery Management System （BMS）。

在電池充放電保護板PCM中，充、放電分別使用一顆功率MOSFET，背靠背的串聯起來。功率MOSFET管背靠背的串聯的方式有二種：一種是二顆功率MOSFET的漏極連接在一起；另一種是二顆功率MOSFET的源極連接在一起。功率MOSFET管放置的位置也有二種方式：一種是二顆功率MOSFET放在電池的負端，也就是所謂的“地端”、低端（Low Side）；另一種是二顆功率MOSFET放在電池的正端，**（High Side）。功率MOSFET背靠背連接的不同方式、以及放在不同的位置，都有各自的優缺點，對應著系統的不同要求.

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在追求更高效率、更小體積、更強可靠性的電力電子時代，功率半導體器件扮演著至關重要的角色。作為國內功率半導體領域的重要參與者，商甲半導體憑借其先進的半導體工藝和設計能力，推出了性能良好的 SGT (Shielded Gate Trench) MOS管系列產品，為電源管理、電機驅動、新能源等領域提供了高效可靠的國產化解決方案。

  在功率半導體國產化浪潮中，商甲半導體積極投入研發，持續優化其SGT MOS管技術平臺。其產品不僅性能對標國際**品牌，更在性價比、本地化服務和技術支持方面具備獨特優勢。通過提供高性能、高可靠的SGT MOS管解決方案，賦能客戶開發出更具競爭力的高效能電子產品。

    MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。

    隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的**，被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是**功率控制部件。

    無錫商甲半導體有限公司積累了下游銷售渠道且客戶黏性度高；

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什么是MOSFET?它有什么作用?

MOSFET是一種可以使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。同時也是利用率**頻率比較高的器件之一，那么了解MOSFET的關鍵指標是非常有必要的。

第一步：選用N溝道還是P溝道為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。

第二步：確定額定電流第二步是選擇MOSFET的額定電流。

第三步：確定熱要求選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。

第四步：決影響開關性能的參數有很多，但**重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOSFET的開關速度因此被降低，器件效率也下降。 無錫商甲半導體有限公司致力于自主知識產權的功率芯片可持續進步及傳承。浙江質量MOSFET選型參數

商甲半導體20V產品主要用于手機、移動電源、可穿戴設備及消費類領域；浙江質量MOSFET選型參數

無錫商甲半導體有限公司專業作為質量供應商，應用場景多元，有多種封裝產品，并且提供量身定制服務。TO-252/SOT-23/PNDF5X6-8L/PDNF3X3-8L/SOT-23-3L/SOP-8/TO-220/TO-263/TOLL/SOT89-3L/DFN2030/SOT-89/TO-92/TO-251/TO-220F/TO-247/TO-263-7

封裝優勢：TO263

1. 超群散熱性能：散熱效率極高，非常適合高功率應用場景。即便在高溫環境下，其性能依然出色。

2. 承載能力強：適用于多種高功率元件，具備***的電流和功率處理能力，能穩定應對大負載。

3. 靈活安裝：采用標準化的引腳設計和間距，使得焊接和連接過程變得簡單，大幅簡化了安裝步驟，提高了生產效率。

4. 耐用性高：能確保MOSFET長期穩定運行，有效提升了設備的可靠性和使用壽命。正是這些特性，使得TO263封裝的MOSFET在高功率應用中表現出色，為電子設備性能的提升和穩定運行提供了可靠保障。 浙江質量MOSFET選型參數

無錫商甲半導體有限公司為一家功率半導體設計公司，專業從事各類MOSFET、IGBT產品的研發、生產與銷售。總部位于江蘇省無錫市經開區，是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。公司目前已經與國內的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作，多平臺產品實現量產，產品在開關特性、導通特性、魯棒性、EMI等方面表現很好，得到多家客戶的好評。

公司定位新型Fabless模式，在設計生產高性能產品基礎上，提供個性化參數調控，量身定制，多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產品齊全，可廣泛應用于工控、光伏、儲能、家電、照明、5G通信、醫療、汽車等各行業多個領域，公司在功率器件主要業務領域已形成可觀的競爭態勢和市場地位。公司秉承：“致力于功率半導體的設計與營銷，參與和傳承功率半導體的發展”的愿景，堅持“質量至上、創新驅動”的發展策略，遵循“問題解決+產品交付+售后服務”的營銷法則，努力將公司建設成一個具有國際競爭力的功率半導體器件供應商。