RPS遠程等離子源在MEMS制造中的精密處理:MEMS器件包含敏感的機械結構,易受等離子體損傷。RPS遠程等離子源通過遠程等離子體生成,消除了帶電粒子的影響,只利用中性自由基進行清洗或刻蝕。這在釋放步驟或無償層去除中尤為重要,避免了靜電荷積累導致的結構粘附。此外,RPS遠程等離子源的均勻性確保了整個晶圓上的處理一致性,提高了器件性能和良率。隨著MEMS應用擴展到醫療和汽車領域,RPS遠程等離子源提供了所需的精度和可靠性。RPS 通過將氣體輸送到裝置中,利用電場或者磁場產生等離子體,然后將等離子體傳輸到需要處理的表面區域。湖南半導體設備RPS射頻電源

遠程等離子體源RPS反應原理:氧氣作為工藝氣體通入等離子發生腔后,會電離成氧離子,氧離子會與腔室里面的水分子、氧分子、氫分子、氮分子發生碰撞和產生化學反應。物理碰撞會讓這些腔室原有的分子,電離成離子態,電離后氧離子和氫離子,氧離子和氮離子,氧離子和氧離子都會由于碰撞或者發生化學反應生成新的物質或者功能基團。新形成的物質或者功能基團,會更容易被真空系統抽走,從而達到降低原有腔室的殘余氣體含量。當然,氧等離子進入到腔室所發生的反應,比以上分析的狀況會更復雜,但其機理是相類似的。北京推薦RPS定制用于磁性存儲器件的精密圖形化刻蝕工藝。

RPS遠程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術的自成一體的原子發生器,它的功能是用于半導體設備工藝腔體原子級別的清潔,使用工藝氣體三氟化氮(NF3)/O2,在交變電場和磁場作用下,原材料氣體會被解離,從而釋放出自由基,活性離子進入工藝室與工藝室上沉積的污染材料(SIO/SIN)或者殘余氣體(H2O、O2、H2、N2)等物質產生化學反應,聚合為高活性氣態分子經過真空泵組抽出處理腔室,提高處理腔室內部潔凈度;利用原子的高活性強氧化特性,達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的,為了避免不必要的污染和工作人員的強度和高風險的濕式清洗工作,提高生產效率。
在材料科學的基礎研究和新材料開發中,獲得一個清潔、無污染的原始表面對于準確分析其本征物理化學性質至關重要。無論是進行XPS、AFM還是SIMS等表面分析技術,微量的表面吸附物都會嚴重干擾測試結果。RPS遠程等離子源應用領域為此提供的解決方案。其能夠在高真空或超高真空環境下,通過產生純凈的氫或氬自由基,對樣品表面進行原位(in-situ)清洗。氫自由基能高效還原并去除金屬表面的氧化物,而氬自由基能物理性地濺射掉表層的污染物,整個過程幾乎不引入新的污染或造成晶格損傷。這為研究人員揭示材料的真實表面態、界面電子結構以及催化活性位點等本征特性提供了可能,是連接材料制備與性能表征的關鍵橋梁。在存儲芯片制造中提升介質層可靠性。

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在射頻濾波器制造中實現壓電薄膜的精確刻蝕。湖南半導體設備RPS射頻電源
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