針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國(guó)瑞熱控ALD**加熱盤(pán)采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)！設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至600℃，升溫速率可達(dá)25℃/分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn)±0.1℃的控溫精度，滿(mǎn)足ALD工藝中前驅(qū)體吸附與反應(yīng)的溫度窗口需求！采用氮化鋁陶瓷基底與密封結(jié)構(gòu)，在真空環(huán)境下無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)釋放，且能抵御反應(yīng)腔體內(nèi)腐蝕性氣體侵蝕！適配8英寸至12英寸晶圓規(guī)格，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口與拓荊、中微等廠(chǎng)商的ALD設(shè)備無(wú)縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障！接口布線(xiàn)密封精心設(shè)計(jì)，確保整體性能穩(wěn)定，延長(zhǎng)使用壽命。靜安區(qū)高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

針對(duì)等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國(guó)瑞熱控配套加熱盤(pán)采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏9級(jí)，可耐受等離子體長(zhǎng)期轟擊而無(wú)材料脫落！加熱盤(pán)內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1℃！底部設(shè)計(jì)環(huán)形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調(diào)節(jié)系統(tǒng)，快速響應(yīng)刻蝕過(guò)程中的溫度波動(dòng)！設(shè)備采用全密封結(jié)構(gòu)，電氣強(qiáng)度達(dá)2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環(huán)境中絕緣性能穩(wěn)定，適配中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī)等主流設(shè)備，為圖形轉(zhuǎn)移工藝提供可靠溫控！連云港晶圓級(jí)陶瓷加熱盤(pán)供應(yīng)商表面特殊處理，耐腐蝕易清潔，適用化學(xué)食品領(lǐng)域。

針對(duì)半導(dǎo)體制造中的高真空工藝需求，國(guó)瑞熱控開(kāi)發(fā)**真空密封組件，確保加熱盤(pán)在真空環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行！組件采用氟橡膠與金屬骨架復(fù)合結(jié)構(gòu)，耐溫范圍覆蓋-50℃至200℃，可長(zhǎng)期在10??Pa真空環(huán)境下使用無(wú)泄漏！密封件與加熱盤(pán)接口精細(xì)匹配，通過(guò)多道密封設(shè)計(jì)提升真空密封性，避免反應(yīng)腔體內(nèi)真空度下降影響工藝質(zhì)量！組件安裝過(guò)程簡(jiǎn)單，無(wú)需特殊工具，且具備良好的耐磨性與抗老化性能，使用壽命超5000次拆裝循環(huán)！適配CVD、PVD等真空工藝用加熱盤(pán)，與國(guó)產(chǎn)真空設(shè)備廠(chǎng)商的反應(yīng)腔體兼容，為半導(dǎo)體制造中的高真空環(huán)境提供可靠密封保障，助力提升工藝穩(wěn)定性與產(chǎn)品良率！

面向半導(dǎo)體熱壓鍵合工藝，國(guó)瑞熱控**加熱盤(pán)以溫度與壓力協(xié)同控制提升鍵合質(zhì)量！采用陶瓷加熱芯與銅合金散熱基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于0.005mm，確保鍵合區(qū)域壓力均勻傳遞！溫度調(diào)節(jié)范圍室溫至400℃，升溫速率達(dá)40℃/秒，可快速達(dá)到鍵合溫度并保持穩(wěn)定（溫度波動(dòng)±0.5℃），適配金-金、銅-銅等不同金屬鍵合工藝！配備壓力傳感器與位移監(jiān)測(cè)模塊，實(shí)時(shí)反饋鍵合過(guò)程中的壓力變化與芯片位移，通過(guò)閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)壓力（0.1-10MPa）與溫度的精細(xì)匹配！與ASM太平洋鍵合設(shè)備適配，使鍵合界面電阻降低至5mΩ以下，為高可靠性芯片互聯(lián)提供保障！多重安全保護(hù)機(jī)制，過(guò)溫過(guò)載自動(dòng)防護(hù)，讓您使用更安心放心。

國(guó)瑞熱控高真空半導(dǎo)體加熱盤(pán)，專(zhuān)為半導(dǎo)體精密制造的真空環(huán)境設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無(wú)污染加熱解決方案！產(chǎn)品采用特殊密封結(jié)構(gòu)與高純材質(zhì)制造，所有部件均經(jīng)過(guò)真空除氣處理，在10??Pa高真空環(huán)境下無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)釋放，避免污染晶圓表面！加熱元件采用嵌入式設(shè)計(jì)，與基材緊密結(jié)合，熱量傳遞損耗降低30%，熱效率***提升！通過(guò)內(nèi)部溫度場(chǎng)模擬優(yōu)化，加熱面均溫性達(dá)±1℃，適配光學(xué)器件鍍膜、半導(dǎo)體晶圓加工等潔凈度要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景！設(shè)備可耐受反復(fù)升溫降溫循環(huán)，在-50℃至500℃溫度區(qū)間內(nèi)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，為高真空環(huán)境下的精密制造提供符合潔凈標(biāo)準(zhǔn)的溫控保障！電熱轉(zhuǎn)換效率高，降低運(yùn)營(yíng)成本，實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)。加熱盤(pán)

升溫迅速表面溫差小，過(guò)熱保護(hù)安全耐用，為設(shè)備護(hù)航。靜安區(qū)高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

面向深紫外光刻工藝對(duì)晶圓預(yù)處理的需求，國(guó)瑞熱控配套加熱盤(pán)以微米級(jí)溫控助力圖形精度提升！采用鋁合金基體與石英玻璃復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合！通過(guò)紅外加熱與接觸式導(dǎo)熱協(xié)同技術(shù)，升溫速率達(dá)15℃/分鐘，溫度調(diào)節(jié)范圍60℃-120℃，控溫精度±0.3℃，適配光刻膠軟烘、堅(jiān)膜等預(yù)處理環(huán)節(jié)！表面經(jīng)防反射涂層處理，減少深紫外光反射干擾，且具備快速冷卻功能，從120℃降至室溫*需8分鐘，縮短工藝間隔！與上海微電子光刻機(jī)適配，使光刻圖形線(xiàn)寬偏差控制在5nm以?xún)?nèi)，滿(mǎn)足90nm至28nm制程的精密圖形定義需求！靜安區(qū)高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶(hù)粉絲源，也收獲了良好的用戶(hù)口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！