四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度低，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。可控硅模塊過載的保護可控硅模塊優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的～2倍來取；為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品，周到的服務與尊敬的用戶攜手并進！四川晶閘管智能控制模塊

晶閘管模塊為什么會燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負載能力差，因此在應用中時常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結構特性決定的。因此，要保證在開發(fā)生產(chǎn)過程中的質量，應從電氣、熱、結構特性三個方面入手，這三個方面緊密相連，密不可分。因此，在開發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時，應充分考慮其電應力、熱應力和結構應力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動管燒壞。因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點，也就是說，如果其中一個應力不符合要求，可以采取措施提高另外兩個應力來彌補。根據(jù)晶閘管模塊各相的參數(shù)，頻繁事故的參數(shù)包括電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、導通時間、關斷時間等。四川晶閘管智能控制模塊淄博正高電氣公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！

體積小、重量輕：可控硅模塊采用半導體技術，體積小、重量輕，可以節(jié)省空間和成本，且安裝方便。節(jié)能環(huán)保：可控硅模塊具有節(jié)能環(huán)保的特點，由于其采用了半導體技術，能夠實現(xiàn)高效能、低能耗的電力控制，減少了能源的浪費和環(huán)境的污染。可控硅模塊的應用領域，電動機控制：可控硅模塊可以用于電動機的控制，實現(xiàn)電機的啟動、制動、調速等功能。在工業(yè)自動化領域，可控硅模塊被大量應用于電動機控制系統(tǒng)中。照明控制：可控硅模塊可以用于照明控制，實現(xiàn)燈光亮度、顏色和閃爍頻率的調整。正高電氣在線為您服務！

另一個應用是對交流電機進行調速，如海上石油鉆井平臺電網(wǎng)串級調速和變頻調速中使用的各種形式的變頻裝置等。這是目前的技術發(fā)展方向，國外的交流調違拖動裝置發(fā)展非常迅速。斬波調壓利用晶閘管模塊作為直流開關，控制晶閘管的通斷比和通斷頻率，將一固定直流電壓變換成可調的直流電壓稱斬波電壓。它主要用于直流拖動的脈沖調速，在地鐵、電車、電氣機車及作為碼頭和廠內(nèi)運輸?shù)碾娖寇嚿鲜褂茫娮璧恼{速方法，控制方便，節(jié)能明顯。電力電子開關利用晶閘管模塊作為電子開關，代替頻繁通斷的接觸器和繼電器。具有無火花、無磨損、無噪音及壽命長的特點，并可得到較好的開關性能及節(jié)能效果。常做成交流調壓器，用于海上石油鉆井平臺的調光；作成調功器，用于加熱妒的溫度控制；以及電機的調壓調速與正反轉控制。晶閘管模塊在使用中采取的保護措施。晶閘管模塊自問世以來，隨著半導體技術及其應用技術的不斷發(fā)展，使其在電氣控制領域中發(fā)揮了很大的作用，具有體積小、安裝調試簡單、可靠性高等優(yōu)點，但是在使用的時候也應該對晶閘管模塊采取相應的保護措施。淄博正高電氣公司可靠的質量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質量日趨穩(wěn)定。

若測量結果有一次阻值為幾百歐姆，則可判定黑表筆接的是門極。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極，而在阻值為幾千歐姆的測量中，紅表筆接的是陽極，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極，應用同樣的方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間正反向電阻，若正反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極和陰極，而另一腳為門極。普通晶閘管模塊也可能根據(jù)其封裝形式來判斷各電極。螺栓形普通晶閘管模塊的螺栓一端為陽極，較細的引線端為門極，較粗的引線端為陰極。平板型普通晶閘管模塊的引出線端為門極，平面端為陽極，另一端為陰極。塑封（TO-220）普通晶閘管的中間引腳為陽極，且多為自帶散熱片相連。可控硅模塊又被成為晶閘管模塊，目前多使用的是雙向可控硅模塊，它具有體積小、結構相對簡單、功能強、重量輕等優(yōu)點，但是它也具有過載和抗干擾能力差，在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面正高來講解如何避免可控硅模塊的缺點。靈敏度雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通。淄博正高電氣始終堅持以人為本，恪守質量為金，同建雄績偉業(yè)。四川晶閘管智能控制模塊

淄博正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務體系。四川晶閘管智能控制模塊

并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。下面正高來詳細講解晶閘管模塊的發(fā)展歷史。半導體的出現(xiàn)成為20世紀現(xiàn)代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發(fā)了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管模塊迅速取代了Hg整流器(引燃管)，實現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果。四川晶閘管智能控制模塊