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至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特...

還可以給這個Bus設置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。 重復以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。 開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規(guī)范要求。 讀寫測試：驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。 數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。...

· 相關器件的應用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設計建議，甚至參考設計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設計，ReferenceDesign：對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設計，以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。 · IBIS 文件：這個對高速設計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 DDR3一致性測試期間如何設置測試環(huán)境？北京DDR3測試修理容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規(guī)范要求。 讀寫測試：驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。 數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。...

DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數(shù)據(jù)判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)...

重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大小？信號完整性測試DDR3測試價格優(yōu)惠 DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rat...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規(guī)范要求。 讀寫測試：驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。 數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。...

DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數(shù)據(jù)判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)...

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡，為這些信號網(wǎng)絡分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡組。選擇網(wǎng)絡DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data, 設置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡組設置完成。 單擊設置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設 置：勾...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 眾所周知，對于任何一種接口規(guī)范的設計，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘枺簿褪球寗悠髂馨l(fā)出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術語講，就是信號的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V. 在我們的實際設計中，除了要精確設計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統(tǒng)進...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標準。以下是對DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個時鐘周期內(nèi)進行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時序要求，包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等。這些時序要求確保內(nèi)存模塊能夠...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應關系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。 DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

高速DDRx總線系統(tǒng)設計 首先簡要介紹DDRx的發(fā)展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關參數(shù)的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設計中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關問題。接下來回顧一下源同步時鐘系統(tǒng)，并推導源同步時鐘系統(tǒng)的時序計算方法。 結果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過實例進行DDRx的信號完整性仿真和時序 分析。 如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？測量DDR3測試調(diào)試 DDR 規(guī)范解讀 為了讀者能夠更好...

如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。 選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設置界面中找到U100 (Controller)來設置模型。 在模型設置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中memorycontroller.ibs。 單擊Loa...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。 DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)...

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。 Bank> Rank及內(nèi)存模塊 1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR...

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標準，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求： 初始時序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或寫操作之前需要預充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數(shù)據(jù)傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

使用了一個 DDR 的設計實例，來講解如何規(guī)劃并設計一個 DDR 存儲系統(tǒng)，包括從系統(tǒng)性能分析，資料準備和整理，仿真模型的驗證和使用，布局布線約束規(guī)則的生成和復用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設計思路和方法。隨著技術的發(fā)展，DDR 技術本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰，而 DDR3 是目前存儲系統(tǒng)的主流技術。 并且，隨著設計水平的提高和 DDR 技術的普及，大多數(shù)工程師都已經(jīng)對如何設計一個 DDR 系統(tǒng)不再陌生，基本上按照通用的 DDR 設計規(guī)范或者參考案例，在系統(tǒng)不是很復雜的情況下，都能夠一次...

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結表格，包括網(wǎng)絡序號、網(wǎng)絡名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。 單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對應的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 DDR3一致性測試是否包括高負載或...

單擊Check Stackup,設置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡、部分信號網(wǎng)絡或者網(wǎng)絡組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡組。檢查網(wǎng)絡組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Set...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規(guī)范要求。 讀寫測試：驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。 數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。...

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準備相關的設計資料。一般來講，對于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個器件進行相關設計，需要有如下資料。 · 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設計的（一般經(jīng)過選型的器件，設計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊）。 DDR3一致性測試是否可以修復一致...

DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號...